Головна
Українська Радянська Енциклопедія
Енциклопедичний словник-довідник з туризму
Юридична енциклопедія - Шемшученко Ю.С.
 
Головна arrow Українська Радянська Енциклопедія arrow електрон-енд arrow ЕЛЕКТРОННО-ДІРКОВИЙ ПЕРЕХІД
   

ЕЛЕКТРОННО-ДІРКОВИЙ ПЕРЕХІД

р - n-перехід - область напівпровідника, в якій відбувається перехід від електронної (n) до діркової (р) електропровідності. Створюється введенням у напівпровідник донорних і акцепторних домішок (див. Донор у фізиці, Акцептор). Ширина Е.-д. п. зумовлена об'ємним електричним зарядом, який виникає на межі р- і n-областей. Осн. властивості Е.-д. п. визначаються потенціальним бар'єром идя електронів і дірок, який заважає переходові електронів з n- у р-, а дірок - з р-у n-область. Зовн. електр. поле змінює висоту бар'єра, при цьому струм через Е.-д. п. може змінюватися у широких межах (до 105 раз і більше). При прямих напругах (позитивний потенціал прикладений до р-, а негативний - до n-області) бар'єр знижується і відбувається інжекція (введення) електронів у р- і дірок у n-області. При змінній напрузі Е.-д. п. має комплексний опір, який характеризується активним опором і електроємністю, що залежать від прикладеної постійної напруги. Струм через Е.-д. п. змінюють, створюючи поблизу нього електрони й дірки освітленням, корпускулярним опроміненням і т. д. Е.-д. п.- осн. елемент напівпровідникових приладів: діодів, транзисторів, сонячних батарей тощо.

Літ.: Пикус Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М., 1965; Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. М., 1973.

В. І. Стріха.

 

Схожі за змістом слова та фрази