(від фото... і резистор) — напівпровідниковий резистор, що його електричний опір залежить від освітленості (див. Фотопровідність); засіб оптоелектроніки. Осн. частиною Ф. (мал.) є світлочутливий шар напівпровідника (сульфідів свинцю або кадмію, селеніду кадмію тощо), нанесений на діелектричну (див. Діелектрики) основу, або пластинка напівпровідника. На напівпровідниковому шарі (пластинці) розташовують струмопідвідні контакти (електроди). Від вологи та ін. зовн. впливів Ф. захищають спец. покриттям або герметизують. Ф. відзначаються значною питомою інтегральною чутливістю [до кількох мА/(В ∙ лм)], але вони порівняно інерційні, їхня світлова характеристика нелінійна. Ф. використовують для вимірювання інтенсивності інфрачервоного, видимого, ультрафіолетового, рентгенівського і гамма-випромінювання, в пірометрії і фототелеграфному зв'язку, в пристроях для відтворювання звуку тощо.
