Головна
Українська Радянська Енциклопедія
Енциклопедичний словник-довідник з туризму
Юридична енциклопедія - Шемшученко Ю.С.
 
Головна arrow Українська Радянська Енциклопедія arrow дер-дех arrow ДЕФЕКТИ В КРИСТАЛАХ
   

ДЕФЕКТИ В КРИСТАЛАХ

(від лат. defectus - недолік, вада) - порушення періодичності розміщення атомів або іонів у реальних кристалах. Виникають як під час росту кристалів, так і після їх утворення в результаті теплового, мех., радіаційного, електр. та ін. діянь. За геом. ознаками Д. в к. (субмікродефекти) поділяють на точкові, лінійні та плоскі. Точковими Д. в к. є вакансії, атоми у міжвузловині, доміш-кові (сторонні) атоми. Вакансія може утворюватися при переході атома з вузла гратки у міжвузловину (дефект Френкеля) або при виході його на поверхню кристала (дефект Шотткі). Порушення в структурі кристалів хім. сполук, зумовлені браком або надлишком компонентів порівняно зі стехіометричною формулою (див. Стехіометрія), наз. стехіометричними Д. в к. До лінійних Д. в к. належать дислокації, до плоских - межі зерен кристалів, ряди та сітки дислокацій тощо. Строго кажучи, поверхню кристала можна розглядати і як його дефект. Д. в к. істотно впливають на їхні фіз., мех., електр., магнітні, фотоелектричні та ін. властивості. Так, точкові дефекти, які в напівпровідниках можуть бути донорами або акцепторами і генерувати носії струму (електрони і дірки), зумовлюють домішкову електропровідність. В іонних кристалах внаслідок взаємодії точкових дефектів з електронами й дірками утворюються т. з. центри забарвлення. До них належать F- і V-центри, які поглинають світло відповідно у видимій та ультрафіолетовій ділянці спектра. Перший утворюється вакантним вузлом негативного іона, який захопив електрон, другий - вакантним вузлом позитивного іона, який захопив дірку. Процеси взаємної дифузії твердих тіл, хім. реакції у твердому стані пов'язані з природою та рухом Д. в к. Дефекти, особливо лінійні та поверхневі, дуже впливають на пластичність, в'язкість, пружність та міцність кристалів. Див. також Дефекти металів. Літ.: Иоффе А. Ф. Физика полупроводников. М. - Л., 1957; Герцрикен С. Д. [та ін.]. Физические основы прочности и пластичности металлов. М., 1963; Стоунхэм А. М. Теория дефектов в твёрдых телах, т. 1. Пер. с англ. М., 1978.

К. Д. Товстюк.

 

Схожі за змістом слова та фрази